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石家庄磁铁:热辅助磁记录技术你听说过吗?

      热辅助磁记录技术采用了激光作为辅助写入介质,写入时使用激光照射写入点。利用发生的热能辅助磁头写入,这样写入磁头,不需要太强的磁场。数据存储和读取的操作则在常温下进行,由于采用了高矫顽力的记录介质,磁盘的存储密度和数据的稳定性都将大幅度提高。热辅助磁记录技术的一个难题是其所采用的激光,如果要达到1Tbit/inch2存储密度,那么每个bit所占用的面积将是25nm2这样小的面积需要相应的细光束,普通激光很难做到。目前流行的解决方法是采用近场光,2005年4月夏普己经报道了一种采用近场光的热辅助记录磁头,仅有1mm大小,结构也非常简单。



      存储密度的提高似乎还远远没有到尽头。通过对高矫顽力存储介质的优化, 预计热辅助磁记录技术可以将存储密度提高到5Tbit/inch2。这个值是垂直磁记录技术的存储密度极限的10倍。然而,科学家们仍然能够找到进一步提高存储密度的方法。比如希捷公司的研究人员报道的自取向磁阵列技术,采用五羟基铁和二乙酞丙酮合铂制备自取向的FePt磁介质阵列。该技术和热辅助磁记录技术结合,可以获得50Tbit/inch2超高存储密度,这简直令人瞳目结舌。但这还不算终极的记录方式,采用修饰的碳纳米管和特殊分子的磁记录方式也在文献中有大量报道,理论上它可以将存储密度提高到一个比特对应单分子的水平,这几乎可以算作目前能够达到极限存储密度,不过该技术目前还停留在基础研究阶段,预计到2020年以后才能投入实用化。总之,提高存储密度的根本方法就是减小记录单元的尺寸。纵向磁记录技术的记录单元已经达到极限;垂直磁记录技术采用巧妙的方法,减小磁单元在磁盘表面的外表积;晶格介质记录技术则通过单畴磁岛的形成减小了写入单位的尺度;而热辅助磁记录技术采用高矫顽力、小颗粒的磁介质,将会向更高的存储密度前进。
      

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